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半导体PN结
关于PN结下列说法正确的是
若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后若以空穴导电为主的称若以自由电子 导电为主的称
参杂硼元素的半导体是.
P型半导体N型半导体PN结都具有单向导电性
在杂质半导体中是掺入三价元素形成的
半导体中的空穴和自由电子数相等这样的半导体称为
发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层称为
本征半导体中掺入五价元素后成为
在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷可形成
在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷可形成
在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷可形成————
半导体PN结具有单向导电型
在本征半导体中掺入杂质的目的是
晶体=极管由结
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理由三块半导体结合而成因此具有PN结
晶体三极管由结
当后就形成了PN结.
目前采用具有的半导体pn结作为温度传感器
半导体结中并不存在
晶闸管是由三个PN结共四层半导体组成
常用半导体二极管在一个PN结的两端各引出一个电极从型半导体引出的电极是从N型半导体引出的电极是
常用半导体二极管在一个PN结的两端各引出一个电极从P型半导体引出的电极是从N型半导体引出的电极是
晶闸管是由PN结四层半导体组成引出3条连接线.
晶闸管是又PNPN四层半导体组成的其中有三个PN结
半导体二极管是由PN结加上电极引线和管壳做成的
导电能力介于导体和绝缘体之间的物体称为
PN结形成的过程中P型半导体中的多数载流子空穴向区进行扩散N型半导体中的多数载流子自由电子向区进行扩
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有导电性其中N极接正而P极接负的电压称为电压此时PN结截止
半导体二极管有个PN结
利用半导体技术的工艺将P型半导体和N型半导体结合在一起则其交界面便会形成一个PN结
半导体二极管实际上就是一个加上引线的PN结
半导体二极管是由二个PN结加上电极引线和管壳做成的
半导体PN结具有单向导电性它是二极管整流作用的核心
晶体三极管具有三个电极三个PN结的半导体元件
在地下矿山通风系统参数测定中对于温度检测来说煤矿常用的温度传感器有热电偶热电阻热敏电阻半导体PN结光
半导体中PN结的最主要特征是即外加正向电压时呈外加反向电压时呈
可控硅是具有个PN结的四层半导体器件
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础其主要特性是
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的三端器件其内部形成两个PN结
半导体激光器产生光子是对PN结注入
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的三端器件其内部形成三个PN结
单向晶闸管可控硅由个半导体层构成共有个PN结
晶闸管是一种个PN结的四层半导体元件
发光二极管是载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源
半导体三极管中的一个PN结可以用来替代同材料的二极管
可控硅比普通半导体多一个
半导体色敏器件是一个双结光电二极管由两个不同的PN结构成
半导体二极管是由个PN结加上电极引线和管壳作成的.
许多半导体二极管都是由一个加上相应的电极引线和管壳封装制成的
半导体PN结的主要物理特性是
单晶硅棒和PN结的制造技术等与以及等半导体制造技术有较多共同部分且历史悠久实际业绩突出
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的三端器件其内部形成PN结
晶体三极管由半导体区组成形成两个结
二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起在交界面
煤矿常用的温度传感器的检测元件为
在硅半导体中掺入少量的磷杂质这种半导体一般称为型半导体
半导体三极管是由两PN结构组成的三端半导体元件
晶闸管有阳极阴极和控制极其内有四层PNPN半导体个PN结
晶体管是在PN接合半导体上再接合一块P型或N型半导体
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的器件其内部形成PN结
下列说法正确的是
是在一块半导体材料上制作出三个区构成两个PN结并分别从三个区中引出三条引线在封装在管壳里
半导体中自由电子的数量大大超过空穴的数量成为以自由电子为主的半导体称为半导体
半导体中的空穴数量大大超过自由电子的数量成为以空穴导电为主的半导体称为半导体
半导体三极管内部有发射区基区和集电区三部分结合处形成两个PN结分别称为发射结和
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的器件其内部形成.三个PN结
晶闸管是一个由PNPN四层半导体构成的三端器件其内部形成PN结
三极管内部由三层半导体材料组成分别称为发射区基区和集电区结合处形成两个PN结分别为发射结和
三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型NPN型三极管的结构是由两个的三层半导体制成
三极管是由半导体材料制成的两个靠得很近的加上相应的电极引线管壳制成的
关于可控硅管的说法正确的是
关于可控硅管的说法正确的是
因半导体中掺加的杂质不同可将半导体分为型两类
由于存在PN结表面的和半导体的使得每只二极管的工作特性都不相同
是由两个背靠背PN结组成的晶体管
用万用表KX100档测量半导体三级管各极间的正反向电阻时结果都旦现很小的阻值由此可判断
PN节中P型半导体和N型半导体中惨入的分不是五价元素和
三极管是由3个PN结构成的一种半导体器件
固体半导体摄像元件CCD是一种
PN结是形成的
半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动势的效应称为光电导效应
在变频器中常用的逆变器有等几种
光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动势的效应
晶体三极管是由个PN结构成的半导体器件
半导体二极管又叫晶体二极管是由一个PN结构成它具有性
将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后会有机地结合在一起就在交界外形成了电荷的薄层这个带电荷的薄
晶体三极管的基本结构是在一块极薄的硅或锗材料上制造两个PN结构成的三层半导体 从三层半导体上各自引出
用冷热探笔法测量半导体时冷端带正电热端带负电
半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色的波长它有两个深度相同的PN结构成
半导体受光照在结区两边产生势垒的现象称
利用两种半导体的异质结串联太阳能电池称为
晶闸管是由PNPN四层半导体组成的其中有三个结
有关二极管的叙述错误的是
按掺入杂质的不同杂质半导体分为
掺有杂质的半导体称为
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