用强光照射n型样品假定光被均匀地吸收产生过剩载流子产生率为gp空穴寿命为τ 求出光照下达到稳

题目 用强光照射n型样品假定光被均匀地吸收产生过剩载流子产生率为gp空穴寿命为τ 写出光照下过剩载请注意与下面国家统考科目题目有着相似或相关知识点, 什么是过剩载流子过剩载流子一般由什么方法产生; 过剩载流子与平衡载流子有什么差别。

用强光照射n型样品假定光被均匀地吸收产生过剩载流子产生率为gp空穴寿命为τ 求出光照下达到稳

学习时建议同时掌以下几题,Ge在室温时估算①电荷载流子的数目和②从价带激发到导带上的电子分数已知Ge的电阻率ρ=43Ω·cm能。

证明室温下有受主补偿的n型半导体的电导率满足下述关系 式中ni为本征载流子浓度 是空穴与电子迁。

弥散性血管内凝血DIC发病的中心环节是。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。