直播课程
已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3ND=1020cm-3 画出电场Ex及电势V
来源: 国家统考科目
发布时间:2021-01-31
题目琼脂糖凝胶电泳分离DNA时电场电压为什么不宜超过5V/cm请注意与下面国家统考科目题目有着相似或相关知识点, ①已知液态纯镍在1.013×105Pa1个大气压过冷度为319℃时发生均匀形核设临界晶核半径为1nm; 如图所示电源电动势ε1=3Vε2=12V其内阻均可忽略R1=8ΩR2=4.4ΩR3=2Ω求 。
已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3ND=1020cm-3 画出电场Ex及电势V
学习时建议同时掌以下几题,设z=f2x-yysinx其中fuv具有连续的二阶偏导数求。
将体积为4πcm³和32πcm³的两个实心金属球熔化后炼成一个实心大球则大球的表面积为cm³。
囊性支气管扩张时可见多个圆形薄壁透亮区直径为。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
2024年国家统考科目
考试报名审核系统
立即获取审核结果
一级建造师考生必刷题库
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题