锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大

题目晶体三极管的输入特性是指当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定 值时加在三极管基极与发请注意与下面维修电工题目有着相似或相关知识点, 晶体三极管的基本结构是在一块极薄的硅或锗材料上制造两个PN结构成的三层半导体 从三层半导体上各自引出; 在单管晶体管放大电路中电压放大倍数小的电路是。

锗管的基极与发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大

学习时建议同时掌以下几题, 分压式偏置电路中对静态工作点祈祷稳定作用的元件是。

晶体管电路具有放大作用要保证晶体管导通并正常工作要求晶体管的集电极正向偏值发射极反向偏值 。

由晶体管组成的共发射极共基极共集电极三种放大电路中电压放大倍数最小的 是。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。