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可产生抑制性突触后电位的离子基础是
来源: 新世纪科学技术发展
发布时间:2017-02-27
题目突触前抑制是由于突触前膜请注意与下面新世纪科学技术发展题目有着相似或相关知识点, 脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生; 抑制性突触后电位产生的离子机制是。
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
学习时建议同时掌以下几题,关于抑制性突触后电位产生过程的描述错误的是。
兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性升高。
兴奋性突触后电位是突触后膜对哪种离子的通透性增加而引起的。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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