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抑制性突触后电位IPSP是由于递质与受体结合后突触后膜K+CI=通透性增加所 致
来源: 运动生理学
发布时间:2020-01-15
题目关于兴奋性突触后电位产生的叙述哪一项是错误的请注意与下面运动生理学题目有着相似或相关知识点, 关于抑制性突触后电位产生过程的描述哪一项是错误的; 的产生是由于突触后膜对和的通透性增加所致。
抑制性突触后电位IPSP是由于递质与受体结合后突触后膜K+CI=通透性增加所 致
学习时建议同时掌以下几题,EPSP的产生是由于突触后膜对和尤其是 的通透性增加所致。
关于抑制性突触后电位的产生正确的叙述是。
突触前抑制的发生是由于。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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