直播课程
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分不考虑沟道调制效应
来源: 集成电路技术
发布时间:2017-02-18
题目MOS晶体管的短沟道效应是指什么其对晶体管有什么影响请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 什么是MOS晶体管的闩锁效应其对晶体管有什么影响; 什么是MOS晶体管的有源寄生效应。
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分不考虑沟道调制效应
学习时建议同时掌以下几题,在大规模集成电路中闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管请举出3种微电子工。
如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应。
为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
2024年集成电路技术
考试报名审核系统
立即获取审核结果
一级建造师考生必刷题库
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
历年真题
相关阅读
相关答疑
相关课程
热门资讯