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高电子迁移率晶体管HEMT速度高的主要原因是什么
来源: 集成电路技术
发布时间:2017-02-18
题目先进的双极晶体管结构的基本特征是什么请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的方法是什么; 什么是MOS晶体管的闩锁效应其对晶体管有什么影响。
高电子迁移率晶体管HEMT速度高的主要原因是什么
学习时建议同时掌以下几题,HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因它的主要应用领域是什么。
MOS晶体管的短沟道效应是指什么其对晶体管有什么影响。
SiGaAsInP三种基本半导体材料中电子迁移率最高的是哪种最低的是哪种。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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