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目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法一般可分为两大类稳态法间接法
来源: 材料物理性能
发布时间:2017-02-18
题目硅半导体的导电过程存在和空穴两种载流子请注意与下面材料物理性能题目有着相似或相关知识点, 是半导体单晶重要电学参数之一它反映了补偿后的杂质浓度与半导体中的载流子浓度有直接关系; 半导体材料的电阻率与以及载流子迁移率有关。
目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法一般可分为两大类稳态法间接法
学习时建议同时掌以下几题,半导体晶体缺陷可以分为和微观缺陷以及点阵应变和表面机械损伤。
常用半导体材料的晶体生长方向有几种。
硅单晶的是一个重要的基本电学参数根据单晶制备时所参杂的元素它们是三价的还是五价的可以将单晶化分为P型。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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