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硅半导体的导电过程存在和空穴两种载流子
来源: 材料物理性能
发布时间:2017-02-18
题目是半导体单晶重要电学参数之一它反映了补偿后的杂质浓度与半导体中的载流子浓度有直接关系请注意与下面材料物理性能题目有着相似或相关知识点, 半导体材料的电阻率与以及载流子迁移率有关; 目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法一般可分为两大类稳态法间接法。
硅半导体的导电过程存在和空穴两种载流子
学习时建议同时掌以下几题,例举得到半导体级硅的三个步骤半导体级硅的纯度能达到多少。
半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种。
参杂硼元素的半导体是.。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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