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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是的
来源: 集成电路制造工艺员
发布时间:2017-02-19
题目干氧氧化法具备以下一系列的优点请注意与下面集成电路制造工艺员题目有着相似或相关知识点, 下列几种氧化方法相比哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些; 干氧氧化法有一些优点但同时它的缺点有。
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是的
学习时建议同时掌以下几题,当热氧化的最初阶段为限制反应速率的主要原因。
二氧化硅生长过程中当分凝系数小于1时会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度。
钠钾等大离子在二氧化硅结构中是杂质。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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