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氢化非晶硅的禁带宽度可调含氢量增加禁带宽度在非晶硅中掺入Ge元素其禁带宽度
来源: 新能源技术
发布时间:2017-02-18
题目CIS的禁带宽度为是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值请注意与下面新能源技术题目有着相似或相关知识点, 常温下本征半导体硅的禁带宽度为eV; 存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失此损失叫做。
氢化非晶硅的禁带宽度可调含氢量增加禁带宽度在非晶硅中掺入Ge元素其禁带宽度
学习时建议同时掌以下几题,为了实现串联结构有必要在部开发禁带宽度更广的。
太阳能单一结电池片可以分为双异质性结构倾斜禁带宽度型异质结构短键位垒型量子阱结构超晶格结构Si以及G。
GaAs以及InP的禁带宽度分别为与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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