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CIS的禁带宽度为是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
来源: 新能源技术
发布时间:2017-02-18
题目为了实现光电转换效率高的太阳能电池太阳光谱的整合是必要的太阳能电池材料的禁带宽度Eg为左右认为是最合请注意与下面新能源技术题目有着相似或相关知识点, 以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是; GaAs以及InP的禁带宽度分别为与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
CIS的禁带宽度为是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
学习时建议同时掌以下几题,太阳能单一结电池片可以分为双异质性结构倾斜禁带宽度型异质结构短键位垒型量子阱结构超晶格结构Si以及G。
氢化非晶硅的禁带宽度可调含氢量增加禁带宽度在非晶硅中掺入Ge元素其禁带宽度。
常温下本征半导体硅的禁带宽度为eV。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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