在足够能量的光照条件晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下N区的向P区运动.

题目在足够能量的光照射太阳电池表面时在P-N结内建电场的作用下N区的空穴向P区运动P区的向N区运动请注意与下面新能源技术题目有着相似或相关知识点, 在足够能量的光照射太阳电池表面时在P-N结内建电场的作用下N区的向P区运动; 在足够能量的光照射太阳电池表面时在P-N结内建电场的作用下P区的向N区运动。

在足够能量的光照条件晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下N区的向P区运动.

学习时建议同时掌以下几题,单晶硅太阳能电池组件的生产流程硅棒太阳电池组件多晶硅太阳能电池组件的生产流程硅碇硅片太阳电池太阳电池。

太阳电池主要有非晶硅太阳电池碲化镉太阳电池与铜铟硒太阳电池5种类型。

晶体硅太阳电池的厚度一般为μm左右。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。