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快速腐蚀时一般不受光照影响而慢速腐蚀时影响比较大
来源: 材料物理性能
发布时间:2017-02-18
题目影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些请注意与下面材料物理性能题目有着相似或相关知识点, 下列不属于工业吸附要求的是; 为什么电化学腐蚀会产生电位差它的原因是什么。
快速腐蚀时一般不受光照影响而慢速腐蚀时影响比较大
学习时建议同时掌以下几题,电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑宏观上看不见小白点腐蚀面为镜面这是和电阻率条纹最重要的区别。
悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时采用快速区熔法的工艺时第一次区熔时第一区熔区停留挥发时间左右。
对净化间做一般性描述。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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