正常凝固是最宽熔区的区域提纯在进行第一次熔化过后能不能进入第二次提纯这个阶段.

题目悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时采用快速区熔法的工艺时第一次区熔时第一区熔区停留挥发时间左右请注意与下面材料物理性能题目有着相似或相关知识点, 例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述; 测量硅中氧浓度常用的方法是.。

正常凝固是最宽熔区的区域提纯在进行第一次熔化过后能不能进入第二次提纯这个阶段.

学习时建议同时掌以下几题,例举并描述薄膜生长的三个阶段。

氧化物有哪两个生长阶段。

气体直流辉光放电分为哪几个区其中辉光放电区包括哪几个区溅射区域选择在哪个区。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。