与干法刻蚀相比湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比对器件不会带来等离子体损伤并且设备简单

题目高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, LPCVD紧随PECVD的发展而发展由660℃降为450℃采用增强的等离子体增加淀积能量即低压和低温; 缩略语PECVDLPCVDHDPCVD和APCVD的中文名称分别是高密度等离子体化学气相淀积和。

与干法刻蚀相比湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比对器件不会带来等离子体损伤并且设备简单

学习时建议同时掌以下几题,PECVD等离子增强CVD。

在制作晶体管的时候衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是。

采用版图匹配设计技术后可提高元器件的匹配性能但会带来哪些不利因素。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。