PECVD等离子增强CVD

题目LPCVD紧随PECVD的发展而发展由660℃降为450℃采用增强的等离子体增加淀积能量即低压和低温请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 缩略语PECVDLPCVDHDPCVD和APCVD的中文名称分别是高密度等离子体化学气相淀积和; 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别哪种工艺依赖于温度LPCVD和APCVD各属。

PECVD等离子增强CVD

学习时建议同时掌以下几题,APCVD常压CVD。

LPCVD低压CVD。

目前常用的CVD系统有和。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。