阻挡层金属是淀积金属或金属塞其作用是增加上下层材料的附着

题目CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区可能引起同一请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 随着铜布线中大马士革工艺的引入金属化工艺变成刻蚀以形成一个凹槽然后淀积来覆盖其上的图形再利用把铜平坦; 淀积的主要作用是什么。

阻挡层金属是淀积金属或金属塞其作用是增加上下层材料的附着

学习时建议同时掌以下几题,传统互连金属线的材料是铝即将取代它的金属材料是铜。

多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。

在半导体制造业中最早的互连金属是在硅片制造业中最普通的互连金属是即将取代它的金属材料是。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。