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在半导体工艺中淀积的薄膜层应满足的参数包含有
来源: 集成电路制造工艺员
发布时间:2017-02-19
题目在半导体工艺中如果淀积的薄膜不是连续的存在一些空隙则请注意与下面集成电路制造工艺员题目有着相似或相关知识点, 在半导体工艺中与氮化硅比较二氧化硅更适合应用在; 是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。
在半导体工艺中淀积的薄膜层应满足的参数包含有
学习时建议同时掌以下几题,在集成电路工艺中光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是。
危害半导体工艺的典型金属杂质是。
在热扩散工艺中的预淀积步骤中磷的扩散温度为。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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