CMP是一种表面的技术它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面在硅片和抛光头之间有并同时

题目表面起伏的硅片进行平坦化处理主要采用将低处填平的方法请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 硅片平坦化的四种类型分别是部分平坦化和; 暴露在高温的氧气氛围中硅片上能生长出氧化硅生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。

CMP是一种表面的技术它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面在硅片和抛光头之间有并同时

学习时建议同时掌以下几题,芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区扩散区刻蚀区和抛光区。

硅片上的氧化物主要通过和的方法产生由于硅片表面非常平整使得产生的氧化物主要为层状结构所以又称为。

硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。