光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上

题目离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片会导致光刻材料的阴影效应阻碍离子束的注入请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区刻蚀区和扩散区; 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处低能量则用于超浅结注入。

光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上

学习时建议同时掌以下几题,离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除掺入的。

在晶片制造中有两种方法可以向硅片中引入杂质元素即热扩散和离子注入。

虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结取而代之的是离子注入。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。