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列出热氧化物在硅片制造的4种用途场氧化层和
来源: 集成电路技术
发布时间:2017-02-18
题目硅片上的氧化物主要通过和的方法产生由于硅片表面非常平整使得产生的氧化物主要为层状结构所以又称为请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢-氮混合气体退火; 热氧化工艺的基本设备有三种和。
列出热氧化物在硅片制造的4种用途场氧化层和
学习时建议同时掌以下几题,当硅片暴露在空气中时会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型降低这些电荷浓度的措施。
根据氧化剂的不同热氧化可分为和。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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