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按蒸发源加热方法的不同真空蒸发工艺可分为蒸发蒸发离子束蒸发等
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目最常用的金属膜制备方法有加热蒸发蒸发请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关淀积速率的测量采用什么办法; 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜带胶蒸发或溅射所需的金属然后在去除光致抗蚀剂膜的同时。
按蒸发源加热方法的不同真空蒸发工艺可分为蒸发蒸发离子束蒸发等
学习时建议同时掌以下几题,从离子源引出的是。
钎焊包括合金烧结共晶焊聚合物焊又可分为等。
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂但主要可分为扩散和扩散两种。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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