金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜带胶蒸发或溅射所需的金属然后在去除光致抗蚀剂膜的同时

题目将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触再用紫外光照射来进行曝光的方法称为曝光请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的曝光后硬化成不可溶解的物质这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂由此组成; 最常用的金属膜制备方法有加热蒸发蒸发。

金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜带胶蒸发或溅射所需的金属然后在去除光致抗蚀剂膜的同时

学习时建议同时掌以下几题,光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺。

采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度。

光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。