侧墙用来环绕多晶硅栅防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通

题目在集成电路制造工艺中轻掺杂漏LDD注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场从而防止热载流子的产生请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免; 什么是离子注入时的沟道效应列举出三种控制沟道效应的方法。

侧墙用来环绕多晶硅栅防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通

学习时建议同时掌以下几题,晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术一次掺杂成功。

离子注入的沟道效应。

请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。