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解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺而不采用铝栅工艺
来源: 集成电路技术
发布时间:2017-02-18
题目铝栅MOS工艺的缺点是什么请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽; 铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS工艺的缺点但还存在哪些缺点。
解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺而不采用铝栅工艺
学习时建议同时掌以下几题,什么是CMOS工艺。
硅栅工艺有哪些优点。
侧墙用来环绕多晶硅栅防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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