说明影响氧化速率的因素

题目热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关淀积速率的测量采用什么办法请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 什么是溅射产额其影响因素有哪些简述这些因素对溅射产额产生的影响; 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些。

说明影响氧化速率的因素

学习时建议同时掌以下几题,杂质原子的扩散方式有哪几种它们各自发生的条件是什么从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散。

简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。