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以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 说明SiO2的结构和性质并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别; 以P2O5为例多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程
学习时建议同时掌以下几题,简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖所需数据见下表玻尔兹曼常数k=1.38×10-231在120。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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