直播课程
1V1直播免费开放
李莹
2024 年度1V1直播课现面向半导体芯片制造工考生全面开放
112人预约
点此参加
老师在线答疑
李莹
报考?考情?成绩?走势?来问,我们是专业的
112人预约
点此参加
答疑解惑
李莹
报名相关,考试相关,考情分析,我们很专业
112人预约
点此参加
提分系列
李莹
爆款福利:半导体芯片制造工提分秘籍系列免费直播
112人预约
点此参加

在温度相同的情况下制备相同厚度的氧化层分别用干氧湿氧和水汽氧化哪个需要的时间最长

来源: 半导体芯片制造工 发布时间:2017-02-19

题目一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖所需数据见下表玻尔兹曼常数k=1.38×10-231在120请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 白光照射二氧化硅时不同的厚度有不同的; 杂质原子的扩散方式有哪几种它们各自发生的条件是什么从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散。

在温度相同的情况下制备相同厚度的氧化层分别用干氧湿氧和水汽氧化哪个需要的时间最长

学习时建议同时掌以下几题,超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接焊接处依靠封接因而外壳零件的平整度和镀金层厚。

介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为隔离墙来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法常用的电介质。

双极晶体管的1c7r噪声与有关。

相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。

2024年半导体芯片制造工

考试报名审核系统
一级建造师考生必刷题库

历年真题

历年真题

历年真题

历年真题

历年真题

历年真题

免费课程

建设工程经济 免费试听
建设工程经济 免费试听
建设工程经济 免费试听
建设工程经济 免费试听
相关阅读
相关答疑
相关课程
热门资讯
相关专题
相关类别
热门网校

代金券领取

免费试听

在线咨询

电话咨询

咨询电话 17136416656

微信咨询

置顶
关闭