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在温度相同的情况下制备相同厚度的氧化层分别用干氧湿氧和水汽氧化哪个需要的时间最长
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖所需数据见下表玻尔兹曼常数k=1.38×10-231在120请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 白光照射二氧化硅时不同的厚度有不同的; 杂质原子的扩散方式有哪几种它们各自发生的条件是什么从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散。
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