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采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线试分析曲线走势并给出其变化的原因请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖所需数据见下表玻尔兹曼常数k=1.38×10-231在120; 简述BOE或BHF刻蚀SiO2的原理。
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进
学习时建议同时掌以下几题,以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
根据原理分类干法刻蚀分成几种各有什么特点。
以P2O5为例多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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