简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况

题目简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源不再有新的杂质补充这种扩散方式称; 以P2O5为例多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况

学习时建议同时掌以下几题,采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度。

恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为分布。

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。