溅射法是由轰击靶材表面使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜

题目对于某种薄膜的CVD过程淀积温度为900℃质量传输系数hG=10cms-1表面反应速率系数ks=1×请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 离子注入是借其强行进入靶材料中的一个物理过程; 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关淀积速率的测量采用什么办法。

溅射法是由轰击靶材表面使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜

学习时建议同时掌以下几题,离子在靶内运动时损失能量可分核阻滞和电子阻滞解释什么是核阻滞电子阻滞两种阻滞本领与注入离子能量具有何。

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用化合物经过热分解反应在基片表面淀积二氧化硅。

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。