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采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是和请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的; 什么是扩散效应什么是自掺杂效应这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化。
采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度
学习时建议同时掌以下几题,二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行扩散。
抛光片的电学参数包括电阻率载流子浓度迁移率直径厚度主参考面等。
衬底清洗过程包括哪几个步骤。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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