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用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离
来源: 集成电路技术
发布时间:2017-02-18
题目集成电路制造工艺中主要有哪两种隔离工艺目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺为什么请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化; 选择性氧化常见的有和其英语缩略语分别为LOCOS和。
用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离
学习时建议同时掌以下几题,现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少是何家企业生产请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术。
选择性外延。
PN结隔离SBC结构工艺流程是什么。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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