物理气相淀积最基本的两种方法是什么简述这两种方法制备薄膜的过程

题目对于某种薄膜的CVD过程淀积温度为900℃质量传输系数hG=10cms-1表面反应速率系数ks=1×请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法; CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率。

物理气相淀积最基本的两种方法是什么简述这两种方法制备薄膜的过程

学习时建议同时掌以下几题,二氧化硅的制备方法很多其中最常用的是高温淀积PECVD淀积。

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关淀积速率的测量采用什么办法。

简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。