假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2

题目什么是扩散效应什么是自掺杂效应这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率; 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源不再有新的杂质补充这种扩散方式称。

假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2

学习时建议同时掌以下几题,二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行扩散。

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关淀积速率的测量采用什么办法。

对于某种薄膜的CVD过程淀积温度为900℃质量传输系数hG=10cms-1表面反应速率系数ks=1×。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。