什么是扩散效应什么是自掺杂效应这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化

题目采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 硅外延生长工艺包括; 什么是离子注入中常发生的沟道效应Channeling和临界角怎样避免沟道效应。

什么是扩散效应什么是自掺杂效应这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化

学习时建议同时掌以下几题,逻辑电路只能处理非O即1这两个值。

值称为共发射极电流放大系数是晶体管的一个重要参数也是检验晶体管经过硼砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重。

场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。