什么是离子注入的横向效应同等能量注入时As和B哪种横向效应更大为什么

题目什么是离子注入中常发生的沟道效应Channeling和临界角怎样避免沟道效应请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 离子在靶内运动时损失能量可分核阻滞和电子阻滞解释什么是核阻滞电子阻滞两种阻滞本领与注入离子能量具有何; 离子注入层的深度主要取决于离子注入的。

什么是离子注入的横向效应同等能量注入时As和B哪种横向效应更大为什么

学习时建议同时掌以下几题,离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的。

什么是扩散效应什么是自掺杂效应这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化。

什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应如何解决。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。