离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是和

题目离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度; 热退火用于消除离子注入造成的损伤温度要低于杂质热扩散的温度然而杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象。

离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是和

学习时建议同时掌以下几题,离子注入层的深度主要取决于离子注入的。

什么是离子注入的横向效应同等能量注入时As和B哪种横向效应更大为什么。

离子注入是借其强行进入靶材料中的一个物理过程。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。