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液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目外延生长方法比较多其中主要的有外延外延金属有机化学气相外延分子束外延固相外延等请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 延生长方法比较多其中主要的有外延外延金属有机化学气相外延外延原子束外延固相外延等; 什么是固相外延SPE及固相外延中存在的问题。
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶
学习时建议同时掌以下几题,叙述H2还原SiCl4外延的原理写出化学方程式。
硅外延生长工艺包括。
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度反应室漏气外延层的晶体系统沾污等载气纯度不够外延层晶体缺陷多生长工。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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