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简述BOE或BHF刻蚀SiO2的原理
来源: 半导体芯片制造工
发布时间:2017-02-19
题目采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进请注意与下面半导体芯片制造工题目有着相似或相关知识点, 在干法刻蚀的终点检测方法中光学放射频谱分析法最常见简述其工作原理和优缺点; 以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
简述BOE或BHF刻蚀SiO2的原理
学习时建议同时掌以下几题,根据原理分类干法刻蚀分成几种各有什么特点。
说明SiO2的结构和性质并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
相同的知识点,可以不同方式出题,建议一起学习掌握。
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