光刻三要素

题目有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区刻蚀区和扩散区请注意与下面集成电路技术题目有着相似或相关知识点, 什么是光刻光刻的主要流程有哪些; 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

光刻三要素

学习时建议同时掌以下几题,步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦曝光和合格产量。

光刻包括两种基本的工艺类型负性光刻和两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同前者是后者是。

什么是正光刻胶负光刻胶。

相同的知识点，可以不同方式出题，建议一起学习掌握。